[发明专利]屏蔽栅沟槽功率器件的制造方法

权利要求书

1.一种屏蔽栅沟槽功率器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，所述衬底的表面形成有外延层，所述外延层中形成有若干沟槽，所述沟槽的侧壁与所述衬底的表面的角度为87°～93°，所述外延层的厚度为3微米～9微米，且所述外延层的体电阻为0.01欧姆每厘米～0.2欧姆每厘米；

形成第一介质层，所述第一介质层覆盖所述沟槽的内壁及所述衬底的表面，其中，至少部分所述第一介质层利用湿氧氧化工艺形成；

形成第一导电层，所述第一导电层填充所述沟槽，蚀刻部分所述第一导电层以剩余的第一导电层形成屏蔽栅；

形成第二介质层及第一栅氧层，所述第二介质层覆盖所述屏蔽栅，所述第一栅氧层覆盖所述沟槽的侧壁以及所述第二介质层；

形成第二栅氧层，所述第二栅氧层覆盖所述第一栅氧层的内壁，且其底部拐角的形状为圆弧形；以及，

于所述沟槽中形成栅极。

2.根据权利要求1所述的屏蔽栅沟槽功率器件的制造方法，其特征在于，所述屏蔽栅沟槽功率器件为屏蔽栅沟槽MOSFET功率器件。

3.根据权利要求1所述的屏蔽栅沟槽功率器件的制造方法，其特征在于，所述沟槽的侧壁与所述衬底的表面的角度为87°～90°。

4.根据权利要求3所述的屏蔽栅沟槽功率器件的制造方法，其特征在于，所述沟槽采用深沟槽蚀刻工艺形成。

5.根据权利要求1所述的屏蔽栅沟槽功率器件的制造方法，其特征在于，所述外延层为单层外延层，所述单层外延层的厚度为3微米～7微米，且体电阻为0.05欧姆每厘米～0.15欧姆每厘米。

6.根据权利要求1所述的屏蔽栅沟槽功率器件的制造方法，其特征在于，所述外延层为双层外延层，包括相接的第一外延层以及第二外延层，所述第一外延层远离所述衬底的表面，且厚度为1mm～4mm，体电阻为0.01欧姆每厘米～0.1欧姆每厘米，所述第二外延层靠近所述衬底的表面，且厚度为2mm～5mm，体电阻为0.1欧姆每厘米～0.2欧姆每厘米。

7.根据权利要求1所述的屏蔽栅沟槽功率器件的制造方法，其特征在于，执行湿氧氧化工艺形成部分厚度的第一介质层，再利用CVD法形成剩余厚度的第一介质层。

8.根据权利要求1所述的屏蔽栅沟槽功率器件的制造方法，其特征在于，所述第二介质层的形成方法：

形成第二介质层，填充所述沟槽；以及，

回蚀刻所述第二介质层，去除设定深度的第二介质层及第一介质层，以部分暴露所述沟槽的侧壁。

9.根据权利要求8所述的屏蔽栅沟槽功率器件的制造方法，其特征在于，采用干氧氧化工艺形成所述第一栅氧层。

10.根据权利要求9所述的屏蔽栅沟槽功率器件的制造方法，其特征在于，采用PECVD法形成第二栅氧层。