[发明专利]一种改善PMOS晶体管短沟道效应的方法在审
| 申请号： | 202110669669.X | 申请日： | 2021-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN113506741A | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 胡君 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种改善PMOS晶体管短沟道效应的方法，在基底上形成栅氧化层，在栅氧化层上形成多晶硅层，刻蚀栅氧化层和所述多晶硅层，形成多晶硅栅结构；通过打穿栅氧化层和多晶硅栅结构的方式，将离子注入在所述基底中形成LDD区；在多晶硅栅结构两侧的基底中形成源漏极；进行热处理，使多晶硅栅结构中的离子扩散进入基底中。本发明根据多晶硅层的厚度，选取合适的LDD注入能量，使得LDD打穿多晶硅及氧化层，进去硅衬底，增加源漏极注入后的热过程，提高温度或增加时间，使得多晶硅中的硼更容易通过扩散进入沟道；同时减薄栅氧化层厚度，使得多晶硅中的硼更容易通过扩散进入沟道。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 pmos 晶体管 沟道 效应 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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