[发明专利]一种改善PMOS晶体管短沟道效应的方法在审
| 申请号： | 202110669669.X | 申请日： | 2021-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN113506741A | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 胡君 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 pmos 晶体管 沟道 效应 方法 | ||
1.一种改善PMOS晶体管短沟道效应的方法，其特征在于，至少包括：
步骤一、提供基底，在所述基底上形成栅氧化层，在所述栅氧化层上形成多晶硅层，刻蚀所述栅氧化层和所述多晶硅层，形成多晶硅栅结构；
步骤二、通过打穿所述栅氧化层和所述多晶硅栅结构的方式，将离子注入在所述基底中，形成LDD区；
步骤三、在所述多晶硅栅结构两侧的所述基底中形成源漏极；
步骤四、进行热处理，使所述多晶硅栅结构中的离子扩散进入所述基底中。
2.根据权利要求1所述的改善PMOS晶体管短沟道效应的方法，其特征在于：步骤一中形成的所述多晶硅栅结构的厚度为
3.根据权利要求1所述的改善PMOS晶体管短沟道效应的方法，其特征在于：步骤一中的所述栅氧化层的厚度为
4.根据权利要求1所述的改善PMOS晶体管短沟道效应的方法，其特征在于：步骤二中注入的离子包括硼离子和砷离子，其中所述硼离子的注入能量为5～30K；所述砷离子的注入能量为30～200K。
5.根据权利要求1所述的改善PMOS晶体管短沟道效应的方法，其特征在于：步骤四中的所述热处理的温度为950～1150℃。
6.根据权利要求1所述的改善PMOS晶体管短沟道效应的方法，其特征在于：步骤四中的所述热处理的处理时间为5～30s。
7.根据权利要求1所述的改善PMOS晶体管短沟道效应的方法，其特征在于：步骤四中使所述多晶硅栅结构中的硼离子扩散进入所述基底中。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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