[发明专利]一种高介电性能二氧化钛填料及其制备PTFE高频基板的用途有效
| 申请号： | 202110667653.5 | 申请日： | 2021-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN113402774B | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 宋锡滨;张伟;王海超;禹在在;张茂林;马雁冰 | 申请（专利权）人： | 山东国瓷功能材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C08K9/00 | 分类号： | C08K9/00;C08K9/02;C08K3/22;C08K7/18;C08L27/18;C01G23/08;H05K1/03 |
| 代理公司： | 北京智桥联合知识产权代理事务所(普通合伙) 11560 | 代理人： | 胡修文 |
| 地址： | 257091 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明属于材料化学技术领域，具体涉及一种高介电性能的微米级二氧化钛填料，以及其制备PTFE高频基板的用途。本发明所述高介电性能的微米级二氧化钛粉体填料，以纳米级二氧化钛晶粒为原料，通过对杂质元素的成分及含量的稳定及精准控制，经高温煅烧制备所需微米级二氧化钛粉体。在煅烧过程中，离子半径较大的杂质离子会进入到二氧化钛晶格中，进而形成较大程度的晶格畸变，导致正负离子的极化强度变大，从而提高所得微米级二氧化钛粉体的介电常数，同时，高温煅烧后的粉体材料，由于其内部气孔率降低，其介电损耗也较小，可获得较高介电常数、较低介电损耗的微米级二氧化钛粉体填料，可满足于PTFE高频基板性能的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高介电 性能 氧化 填料 及其 制备 ptfe 高频 用途 | ||
【主权项】：
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