[发明专利]一种铬硅系薄膜电阻及其制备方法有效
| 申请号： | 202110662034.7 | 申请日： | 2021-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN113410382B | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 杨尚洁;杨永峰;张万垚;李林;折宇;陈宝忠 | 申请（专利权）人： | 西安微电子技术研究所 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 马贵香 |
| 地址： | 710065 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明属于薄膜电阻制备技术领域，公开了一种铬硅系薄膜电阻及其制备方法，包括以下步骤：在衬底上使用化学气相沉积法沉积二氧化硅绝缘层；使用物理气相沉积法在二氧化硅绝缘层上先沉积铬硅电阻层，再沉积钛钨层；使用化学气相沉积法在钛钨层上沉积二氧化硅层，作为硬掩膜；在硬掩膜上完成电阻图形的制备；对二氧化硅层进行刻蚀，形成硬掩膜窗口；使用强氧化溶剂对硬掩膜窗口的钛钨层进行去除；对铬硅电阻层进行干法预刻蚀；使用湿法化学腐蚀法对铬硅电阻层进行腐蚀，得到铬硅系薄膜电阻。使用硬掩膜作为刻蚀阻挡层可解决湿法腐蚀的侵蚀问题，使用干法预刻蚀解决湿法腐蚀速率非线性变化的问题，可有效控制电阻图形的宽度、长度，提高电阻的精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铬硅系 薄膜 电阻 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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