[发明专利]一种铬硅系薄膜电阻及其制备方法有效
| 申请号： | 202110662034.7 | 申请日： | 2021-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN113410382B | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 杨尚洁;杨永峰;张万垚;李林;折宇;陈宝忠 | 申请（专利权）人： | 西安微电子技术研究所 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 马贵香 |
| 地址： | 710065 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 铬硅系 薄膜 电阻 及其 制备 方法 | ||
1.一种铬硅系薄膜电阻的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、在衬底（1）上使用化学气相沉积法沉积二氧化硅绝缘层（2）；
S2、使用物理气相沉积法在二氧化硅绝缘层（2）上先沉积铬硅电阻层（3），再沉积钛钨层（4）；
S3、使用化学气相沉积法在钛钨层（4）上沉积二氧化硅层，作为硬掩膜（5）；
S4、在硬掩膜（5）上完成电阻图形的制备；电阻的宽度为5-8um；
S5、对二氧化硅层进行刻蚀，形成硬掩膜窗口；
S6、使用强氧化溶剂对硬掩膜窗口的钛钨层（4）进行去除；
S7、对铬硅电阻层（3）进行干法预刻蚀；
S8、使用湿法化学腐蚀法对铬硅电阻层（3）进行腐蚀，得到所述铬硅系薄膜电阻。
2.根据权利要求1所述的一种铬硅系薄膜电阻的制备方法，其特征在于，在S8后，对铬硅系薄膜电阻进行后处理，具体包括以下步骤：
（1）通过干法去胶工艺去除表层二氧化硅绝缘层（2）上的光刻胶；
（2）采用湿法有机清洗，对残留光刻胶及S7中干法预刻蚀产生的聚合物进行去除。
3.根据权利要求1所述的一种铬硅系薄膜电阻的制备方法，其特征在于，S8中，湿法化学腐蚀法采用的溶液为硝酸、氢氟酸和水的混合液。
4.根据权利要求1所述的一种铬硅系薄膜电阻的制备方法，其特征在于，强氧化溶剂的温度为30℃-80℃。
5.根据权利要求1所述的一种铬硅系薄膜电阻的制备方法，其特征在于，二氧化硅绝缘层（2）的厚度为1-2μm。
6.根据权利要求1所述的一种铬硅系薄膜电阻的制备方法，其特征在于，铬硅电阻层（3）的厚度为50Å-800Å。
7.根据权利要求1所述的一种铬硅系薄膜电阻的制备方法，其特征在于，钛钨层（4）的厚度为1000 Å-3000 Å。
8.根据权利要求1所述的一种铬硅系薄膜电阻的制备方法，其特征在于，化学气相沉积法采用等离子体化学气相淀积法，射频功率在300W-2000W，温度在350℃-500℃。
9.根据权利要求1所述的一种铬硅系薄膜电阻的制备方法，其特征在于，物理气相沉积法具体为：功率源采用直流源、中频源或射频源，功率控制在100-2000W。
10.采用权利要求1-9任意一项所述制备方法制备得到的铬硅系薄膜电阻，其特征在于，包括自下而上设置的衬底（1）、二氧化硅绝缘层（2）、铬硅电阻层（3）、钛钨层（4）和硬掩膜（5）；所述铬硅系薄膜电阻的宽度为5-8um。
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