[发明专利]深紫外发光元件及其制备方法有效
| 申请号： | 202110661377.1 | 申请日： | 2021-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN113410348B | 公开（公告）日： | 2022-11-18 |
| 发明（设计）人： | 郑锦坚;高默然;毕京锋;范伟宏;曾家明;张成军 | 申请（专利权）人： | 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司;杭州士兰明芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/00;A61L2/10;A61L9/20;C02F1/32 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 刘畅 |
| 地址： | 361012 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种深紫外发光元件及其制备方法，其中所述深紫外发光元件从下至上依次包括：衬底、n型半导体层、量子阱层以及p型半导体层，其中所述量子阱层包括掺杂量子阱层和位于所述掺杂量子阱层上的非掺杂量子阱层。本发明通过设置双量子阱结构，提升发光效率和强度，且由于掺杂量子阱层和p型半导体层中间隔着非掺杂量子阱层，可以减少高温或长期使用条件下Mg和Si迁移导致的发光衰减现象，使得1000小时的发光衰减从30％降低到10％以内。 | ||
| 搜索关键词： | 深紫 发光 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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