[发明专利]深紫外发光元件及其制备方法有效
| 申请号： | 202110661377.1 | 申请日： | 2021-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN113410348B | 公开（公告）日： | 2022-11-18 |
| 发明（设计）人： | 郑锦坚;高默然;毕京锋;范伟宏;曾家明;张成军 | 申请（专利权）人： | 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司;杭州士兰明芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/00;A61L2/10;A61L9/20;C02F1/32 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 刘畅 |
| 地址： | 361012 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 深紫 发光 元件 及其 制备 方法 | ||
1.一种深紫外发光元件，其特征在于，从下至上依次包括：衬底、n型半导体层、量子阱层以及p型半导体层，其中所述量子阱层包括掺杂量子阱层和位于所述掺杂量子阱层上的非掺杂量子阱层。
2.如权利要求1所述的深紫外发光元件，其特征在于，所述掺杂量子阱层和非掺杂量子阱层的材质包括AlGaN。
3.如权利要求1所述的深紫外发光元件，其特征在于，所述掺杂量子阱层为第一阱层和第一垒层交替生长的周期性结构，所述非掺杂量子阱层为第二阱层和第二垒层交替生长的周期性结构。
4.如权利要求3所述的深紫外发光元件，其特征在于，所述掺杂量子阱层中的第一垒层掺杂Si，所述非掺杂量子阱层中的第二垒层、所述掺杂量子阱层中的第一阱层和所述非掺杂量子阱层中的第二阱层均未掺杂Si。
5.如权利要求4所述的深紫外发光元件，其特征在于，所述第一垒层的Si掺杂的浓度为1E18cm-3～1E19cm-3。
6.如权利要求3所述的深紫外发光元件，其特征在于，所述第一阱层和第二阱层的Al组分含量低于所述第一垒层和第二垒层的Al组分含量。
7.如权利要求6所述的深紫外发光元件，其特征在于，所述第一阱层和第二阱层的Al组分含量为0.2～0.8。
8.如权利要求6所述的深紫外发光元件，其特征在于，所述第一阱层的Al组分含量等于所述第二阱层的Al组分含量。
9.如权利要求6所述的深紫外发光元件，其特征在于，所述第一垒层和第二垒层的Al组分含量为0.4～1.0。
10.如权利要求6所述的深紫外发光元件，其特征在于，所述第一垒层的Al组分含量等于所述第二垒层的Al组分含量。
11.如权利要求3所述的深紫外发光元件，其特征在于，所述掺杂量子阱层的周期数为a，且3≤a≤8。
12.如权利要求3所述的深紫外发光元件，其特征在于，所述第一阱层的厚度为
13.如权利要求3所述的深紫外发光元件，其特征在于，所述第一垒层的厚度为
14.如权利要求3所述的深紫外发光元件，其特征在于，所述非掺杂量子阱层的周期数为b，且1≤b≤5。
15.如权利要求3所述的深紫外发光元件，其特征在于，所述第二阱层的厚度为
16.如权利要求3所述的深紫外发光元件，其特征在于，所述第二垒层的厚度为
17.如权利要求1所述的深紫外发光元件，其特征在于，所述p型半导体层包括p型电子阻挡层和位于所述p型电子阻挡层上的p型接触层。
18.如权利要求17所述的深紫外发光元件，其特征在于，所述p型电子阻挡层的材质包括AlGaN，所述p型接触层的材质包括GaN和AlGaN中的至少一种。
19.如权利要求18所述的深紫外发光元件，其特征在于，所述p型接触层的材质包括AlGaN时，其中的Al组分含量20％。
20.如权利要求19所述的深紫外发光元件，其特征在于，所述p型接触层的厚度为50nm～300nm。
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