[发明专利]一种LED外延晶层生产工艺有效
| 申请号： | 202110660374.6 | 申请日： | 2021-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN113394077B | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 池佳洁 | 申请（专利权）人： | 纬翔华创（山东）智能电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广东灵顿知识产权代理事务所(普通合伙) 44558 | 代理人： | 梁鹤鸣 |
| 地址： | 276800 山东省日照市经济开发区北*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种LED外延晶层生产工艺，属于半导体生产技术领域。它解决了现有的外延设备对于衬底的形态为固定设置，导致原气体通入时，位于最前方的衬底优先形成晶层，但反应后的废气掺杂在原气体中与后方的衬底接触，进而对后方的晶层形成造成一定影响，且反应进行前选择将清理后的衬底安装于装置内，衬底在运输过程中暴露在空气中，导致空气中的灰尘、杂质贴敷在衬底上，进一步对晶层的形成造成影响的问题。本LED外延晶层生产工艺由反应筒、两个底座、密封门、加热腔、进气口、排气口、储气机构、支撑机构、夹紧机构、梳理机构配合完成相应的处理操作。本LED外延晶层生产工艺使用基片清理更加彻底、成晶更加均匀、稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 外延 生产工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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