[发明专利]一种LED外延晶层生产工艺

说明书

本发明提供了一种LED外延晶层生产工艺，属于半导体生产技术领域。它解决了现有的外延设备对于衬底的形态为固定设置，导致原气体通入时，位于最前方的衬底优先形成晶层，但反应后的废气掺杂在原气体中与后方的衬底接触，进而对后方的晶层形成造成一定影响，且反应进行前选择将清理后的衬底安装于装置内，衬底在运输过程中暴露在空气中，导致空气中的灰尘、杂质贴敷在衬底上，进一步对晶层的形成造成影响的问题。本LED外延晶层生产工艺由反应筒、两个底座、密封门、加热腔、进气口、排气口、储气机构、支撑机构、夹紧机构、梳理机构配合完成相应的处理操作。本LED外延晶层生产工艺使用基片清理更加彻底、成晶更加均匀、稳定。

技术领域

本发明属于半导体生产技术领域，涉及一种LED外延晶层生产工艺。

背景技术

外延生长即通入含有一定硅源气体，经高频加热后，在单晶衬底上沉积一层薄的单晶层，现有的外延设备对于衬底的形态为固定设置，导致原气体通入时，位于最前方的衬底优先形成晶层，但反应后的废气掺杂在原气体中与后方的衬底接触，进而对后方的晶层形成造成一定影响，且反应进行前选择将清理后的衬底安装于装置内，衬底在运输过程中暴露在空气中，导致空气中的灰尘、杂质贴敷在衬底上，进一步对晶层的形成造成影响。

发明内容

本发明的目的是针对现有的技术存在上述问题，提出了一种LED外延晶层生产工艺，本LED外延晶层生产工艺使用基片清理更加彻底、成晶更加均匀、稳定。

本发明的目的可通过下列技术方案来实现：一种LED外延晶层生产工艺，其具体工艺步骤如下：

S1、原料准备：通过人工将基片放置在支撑机构上方的夹紧机构上，并向储气机构内依次填充不同的原料气体；

S2、气体除杂：启动夹紧机构，通过与支撑机构间的配合，带动基片在反应筒内进行左右往复摆动；

S3、基片清理：S2步骤进行的同时启动储气机构，控制无水氯化氢进入反应筒内，对基片进行深度清理；

S4、晶层获取：经上述S1-S3步骤后，对反应筒进行升温处理，启动储气机构向反应筒内填充其他的原料气体，在基片上形成晶层，同时利用梳理机构对基片上的晶层进行梳理，以保证晶层厚度的均匀性；

S5、产品拾取：待S4步骤结束，关闭储气机构，对反应筒进行降温，待温度下降后可从反应筒内取出基片，以拾取晶层；

上述工艺S1-S5步骤中的作业工序需由反应筒、两个底座、密封门、加热腔、进气口、排气口、储气机构、支撑机构、夹紧机构、梳理机构配合完成相应的处理操作，其中：

反应筒下端安装有两个底座，所述反应筒左端设有进气口，所述反应筒右端设有排气口，位于所述反应筒中心线上方的圆弧端壁内设有密封门，位于所述反应筒中心线前后两侧的圆弧端壁内分别设有加热腔，每个所述加热腔内设有加热模块，所述反应筒左端设有与所述进气口相连的储气机构，所述反应筒内设有支撑机构，所述支撑机构上方设有夹紧机构，所述夹紧机构上方设有梳理机构。

作为优选，所述储气机构包括设置在位于所述反应筒中心线左侧的所述底座左端面的底盘，所述底盘上方由前至后依次设有至少两个的储气筒，所述底盘上方位于若干所述储气筒和所述反应筒间设有与所述进气口连通的集气箱，所述集气箱下端与所述底盘上端间设有支撑杆，每个所述储气筒与所述集气箱间连通有导气管。

作为优选，所述支撑机构包括限定在所述反应筒内的安置腔，所述安置腔内沿所述反应筒的径向方向依次设有至少两个的液压缸，若干所述液压缸间通过油管依次连通，每个所述油管内设有单向阀，每个所述液压缸内滑动连接有液压杆，每个所述液压缸顶端设有球形块，每个所述球形块上端设有支撑板，所述支撑板下端转动连接有两个第一连杆和两个第二连杆，每个所述第一连杆和每个所述第二连杆滑动设置在所述反应筒内，且每个所述第一连杆的滑动长度大于每个所述第二连杆的滑动长度，每个所述支撑板内由前至后转动连接有两个挡板。