[发明专利]薄膜晶体管阵列衬底和显示器件在审
申请号: | 202110656668.1 | 申请日: | 2021-06-11 |
公开(公告)号: | CN113903751A | 公开(公告)日: | 2022-01-07 |
发明(设计)人: | 丁灿墉;白朱爀;李道炯;高永贤 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G09G3/32;G09G3/3208 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 康建峰;杨华 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开内容的实施方式涉及薄膜晶体管阵列衬底和显示器件,其中半导体层具有异质导电结构,该异质导电结构包括具有不同电导率的异质导电部分,并且栅极绝缘体层不被蚀刻成足以在源电极部分与栅电极部分之间以及在漏电极部分与栅电极部分之间暴露半导体层,从而可以使对半导体层损坏的可能性消除或最小化。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 阵列 衬底 显示 器件 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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