“丁灿墉”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果11个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]薄膜晶体管和包括其的显示设备-CN201911323292.1有效
发明人：白朱爀;李道炯;丁灿墉 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：薄膜晶体管和包括其的显示设备。一种薄膜晶体管包括：有源层，该有源层包括沟道部分；栅极，该栅极与所述有源层间隔开并且与所述有源层的至少一部分交叠；以及源极和漏极，该源极和该漏极与所述有源层连接并且彼此间隔开，其中，所述沟道部分包括：第一边界部分，该第一边界部分与所述源极和所述漏极中的一个连接；第二边界部分，该第二边界部分与所述源极和所述漏极中的另一个连接；以及主沟道部分，该主沟道部分介于在所述第一边界部分和所述第二边界部分之间，并且其中，所述第二边界部分的至少一部分的厚度小于所述主沟道部分的厚度。
薄膜晶体管包括显示设备

[发明专利]薄膜晶体管、薄膜晶体管基板和显示装置-CN202211347454.7在审
发明人： 丁灿墉;高永贤;玉敬喆 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：提供了一种薄膜晶体管、包括该薄膜晶体管的薄膜晶体管基板以及显示装置。薄膜晶体管包括第一有源层、第一辅助栅电极和第一栅电极，其中第一有源层包括第一沟道部分、与第一沟道部分的一侧接触的第一连接部分以及与第一沟道部分的另一侧接触的第二连接部分。
薄膜晶体管显示装置

[发明专利]薄膜晶体管、其制造方法和包括薄膜晶体管的显示装置-CN202211210309.4在审
发明人： 丁灿墉;玉敬喆;李道炯;崔弘洛 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提供了一种薄膜晶体管、薄膜晶体管的制造方法和包括该薄膜晶体管的显示装置，其中所述薄膜晶体管包括位于基板上的还原图案、与所述还原图案接触的有源层以及与所述有源层至少部分地重叠的栅电极，其中所述有源层包括沟道部分、连接到所述沟道部分的一侧的第一导电化部分、以及连接到所述沟道部分的另一侧的第二导电化部分，并且所述沟道部分与所述栅电极重叠并且不与所述还原图案重叠。
薄膜晶体管制造方法包括显示装置

[发明专利]显示装置和信号反转装置-CN201911149786.2有效
发明人：李道炯;丁灿墉;白朱爀;千光一 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2019-11-21 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：公开了一种显示装置和信号反转装置。信号反转装置包括：基板；氧化物半导体层，位于所述基板上；第一电极，连接到所述氧化物半导体层的一部分；第二电极，连接到所述氧化物半导体层的另一部分；栅极，位于所述氧化物半导体层上或下；金属氧化物膜，位于所述基板上；第一连接电极，电连接到所述金属氧化物膜的一端；第二连接电极，电连接到所述金属氧化物膜的相对端，其中，输入信号输入到所述栅极，第一电压施加到所述第一连接电极，所述第二连接电极和所述第一电极彼此电连接或者彼此集成在一起以输出输出信号，并且与所述第一电压不同的第二电压施加到所述第二电极基板。因此，小尺寸信号反转装置具有简单的电路配置。
显示装置信号反转装置

[发明专利]薄膜晶体管、制造薄膜晶体管的方法和包括薄膜晶体管的显示装置-CN202111622115.0在审
发明人：白朱爀;李道炯;丁灿墉 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提供了一种薄膜晶体管、制造薄膜晶体管的方法和包括薄膜晶体管的显示装置，其中所述薄膜晶体管包括第一栅电极、与第一栅电极隔开并包含沟道部分的有源层以及与有源层隔开并基于有源层设置在第一栅电极的相反侧的第二栅电极，其中第一栅电极的至少一部分与第二栅电极不重叠，且第二栅电极的至少一部分与第一栅电极不重叠，沟道部分与第一和第二栅电极中的至少一个重叠，沟道部分的一部分仅与第一和第二栅电极中的一个重叠，而所述沟道部分的另一部分仅与第一和第二栅电极中的另一个重叠，有源层包含第一有源层和设置在第一有源层上的第二有源层，第一和第二有源层中的任意一个具有比两者中的另一个更高的氢浓度和更低的氧浓度。
薄膜晶体管制造方法包括显示装置

[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及包含其的电子设备-CN202111186488.8在审
发明人：李道炯;白朱爀;丁灿墉 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本公开提供一种薄膜晶体管阵列基板及包含其的电子设备。更具体地，薄膜晶体管阵列基板包括：设置在基板上的第一有源层；设置在所述第一有源层上的第一栅极绝缘膜；设置在栅极绝缘膜上的栅电极；设置在栅电极上的第二栅极绝缘膜；第二有源层，其设置在第二栅极绝缘膜上，包括第三区域、与第三区域间隔开的第四区域、以及设置在第三区域和第四区域之间的第二沟道区域，并且与栅电极交叠；设置在所述第三区域上的第一电极；以及与第一电极间隔开并设置在第四区域上的第二电极。由此，可以提供在小面积中包括具有高电流特性的一个或更多个薄膜晶体管的薄膜晶体管阵列基板，以及包括该薄膜晶体管阵列基板的电子设备。
薄膜晶体管阵列包含电子设备

[发明专利]薄膜晶体管阵列衬底和显示器件-CN202110656668.1在审
发明人： 丁灿墉;白朱爀;李道炯;高永贤 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式涉及薄膜晶体管阵列衬底和显示器件，其中半导体层具有异质导电结构，该异质导电结构包括具有不同电导率的异质导电部分，并且栅极绝缘体层不被蚀刻成足以在源电极部分与栅电极部分之间以及在漏电极部分与栅电极部分之间暴露半导体层，从而可以使对半导体层损坏的可能性消除或最小化。
薄膜晶体管阵列衬底显示器件

[发明专利]薄膜晶体管阵列基板和包括其的电子装置-CN202011362506.9在审
发明人：白朱爀;李道炯;丁灿墉 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：提供了一种薄膜晶体管阵列基板和包括该薄膜晶体管阵列基板的电子装置。更具体地，薄膜晶体管阵列基板包括：包括第一区域、与第一区域分隔开的第二区域、以及设置在第一区域与第二区域之间的沟道区域的第一有源层；设置在第一有源层上的第一栅极电极；和第二栅极电极，第二栅极电极与第一栅极电极设置在同一层，以与第一栅极电极的一端重叠，并且第二栅极电极被施加与施加至第一栅极电极的信号对应的信号。因此，可具有同时控制薄膜晶体管的阈值电压、迁移率和亚阈值(S)参数的结构。
薄膜晶体管阵列包括电子装置

[发明专利]薄膜晶体管阵列基板和包括该基板的电子装置-CN202011358012.3在审
发明人：李道炯;丁灿墉;白朱爀 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：薄膜晶体管阵列基板和包括该基板的电子装置。提供了一种薄膜晶体管TFT阵列基板和包括该基板的电子装置。所述TFT阵列包括：第一TFT的第一有源层，所述第一有源层是包括钼的氧化物半导体层；第二TFT的第二有源层，所述第二有源层是氧化物半导体层并且布置在缓冲层上与第一有源层间隔开；第一栅绝缘膜，其与第一有源层和第二有源层交叠；第一TFT的第一栅极，所述第一栅极与第一栅绝缘膜和第一有源层的一部分交叠；以及第二TFT的第二栅极，所述第二栅极与第一栅绝缘膜交叠，与第一栅极间隔开，并且与第二有源层的一部分交叠。因此，第一TFT具有高的亚阈值参数，第二TFT具有高迁移率。
薄膜晶体管阵列包括电子装置

[发明专利]晶体管阵列基板和包括其的电子装置-CN202011377958.4在审
发明人： 丁灿墉;李道炯;白朱爀 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：提供了一种晶体管阵列基板和电子装置。第一有源层包括第一区域、与第一区域间隔开的第二区域以及设置在第一区域域第二区域之间的沟道区域。栅极绝缘膜设置在第一有源层上。栅电极设置在栅极绝缘膜上，以与第一有源层的沟道区域的一部分交叠。栅电极与第一有源层的第一区域和第二区域的至少一个区域的一部分交叠。防止了沟道区域的劣化。
晶体管阵列包括电子装置

[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、包括薄膜晶体管的显示装置-CN201911155307.8在审
发明人：白朱爀;李道炯;丁灿墉 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2019-11-22 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：薄膜晶体管及其制造方法、包括薄膜晶体管的显示装置。提供了一种薄膜晶体管、包括该薄膜晶体管的显示装置、以及制造该薄膜晶体管的方法。该薄膜晶体管包括：半导体层和栅极，所述半导体层包括：第一氧化物半导体层，该第一氧化物半导体层包括镓(Ga)，第二氧化物半导体层，以及在第一氧化物半导体层和第二氧化物半导体层之间的硅半导体层，所述栅极与半导体层间隔开并且与半导体层的至少一部分部分地交叠。
薄膜晶体管及其制造方法包括显示装置

1
共 11 条