[发明专利]场效晶体管、半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202110654840.X | 申请日： | 2021-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN113394297A | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 马礼修;贾汉中 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/51;H01L27/1159 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件包括晶体管及铁电隧道结。铁电隧道结连接到晶体管的漏极接触件。铁电隧道结包括第一电极、第二电极、结晶氧化物层及铁电层。第二电极设置在第一电极之上。结晶氧化物层与铁电层彼此直接接触地设置在第一电极与第二电极的中间。结晶氧化物层包含结晶氧化物材料。铁电层包含铁电材料。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110654840.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
