[发明专利]一种用于半导体器件的薄膜形貌预测方法及装置在审
| 申请号： | 202110639484.4 | 申请日： | 2021-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN113471093A | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 邵花;韦亚一;陈睿;王云;薛静;叶甜春 | 申请（专利权）人： | 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 刘贺秋 |
| 地址： | 510535 广东省广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种用于半导体器件的薄膜形貌预测方法及装置。该薄膜形貌预测方法包括如下步骤：读取衬底图像，衬底图像上具有微纳结构图形。从衬底图像中提取出多个表面轮廓位点，多个表面轮廓位点均为处于微纳结构图形边缘的位置点。根据表面轮廓位点的位置和目标工艺参数确定各个表面轮廓位点的预期反应速率。利用预设工艺时间和预期反应速率计算各个表面轮廓位点薄膜厚度变化。根据各个表面轮廓位点薄膜厚度变化更新衬底图像中微纳结构图形边缘的界面，以预测出用于半导体器件的薄膜形貌。本发明提供了用于指导薄膜工艺设计开发和优化的薄膜形貌预测结果，基于本发明方案可达到实现工艺设计预期、降低研发成本及推进研发进度等技术目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 半导体器件 薄膜 形貌 预测 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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