[发明专利]一种具有浮岛耦合垂直场板保护的SiC基槽栅MOSFET结构在审
| 申请号： | 202110627846.8 | 申请日： | 2021-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN113517331A | 公开（公告）日： | 2021-10-19 |
| 发明（设计）人： | 王旺达;胡冬青;查祎英;贾云鹏;吴郁;周新田 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/40;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
一种具有浮岛耦合垂直场板保护的SiC基槽栅MOSFET结构涉及功率半导体器件技术领域，在普通MOSFET结构基础上设置了深槽，深槽外边到栅槽内边间距均匀相等且控制在1‑3微米之间，深槽深度比栅槽深2‑10微米且与浅槽平行相似，相邻深槽间距设置在2.5‑5微米，深槽内填充的多晶硅与源电极相连，在器件阻断态时，起垂直偏置场板作用，可以有效降低栅槽角隅处的电场强度，改善栅可靠性，同时在深槽下方包裹一掺杂类型与漂移区相反的掺杂浮岛，一方面来屏蔽指向深槽氧化层的电场线，保护深槽角隅，另一方面也可以通过承担一部分压降改善耗尽区电场分布保护槽栅角隅，提高器件可靠性。第一导电类型碳化硅半导体漂移区掺杂浓度控制在1‑5×10 |
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| 搜索关键词： | 一种 具有 耦合 垂直 保护 sic 基槽栅 mosfet 结构 | ||
【主权项】：
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