[发明专利]掩模基版的制作方法及具有等离子体加热装置的涂胶设备有效
申请号: | 202110620806.0 | 申请日: | 2021-06-03 |
公开(公告)号: | CN113311660B | 公开(公告)日: | 2023-07-18 |
发明(设计)人: | 车翰宣;陈昊;张震 | 申请(专利权)人: | 上海传芯半导体有限公司 |
主分类号: | G03F1/60 | 分类号: | G03F1/60;G03F1/80;G03F1/68;C23C14/00;C23C14/06;C23C14/35;C23C14/58 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 罗泳文 |
地址: | 200120 上海市浦东新区中国(上*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种掩模基版的制作方法及具有等离子体加热装置的涂胶设备,制作方法包括步骤:提供透光基板;在透光基板上沉积遮光膜;在遮光膜上沉积防反射膜,防反射膜为Cr的碱性氧化物;对防反射膜进行加热烘烤,以脱去防反射膜的水分,并对防反射膜表面进行氧等离子体处理,以在防反射膜表面形成氧化膜;于氧化膜上涂覆化学放大型光刻胶。本发明在防反射膜和化学放大型光刻胶界面形成了氧化膜,在曝光工艺处理时,可以有效避免由碱性防反射膜提供的电子和化学放大型光刻胶被光照激发产生的量子结合而发生的中和反应,避免化学放大型光刻胶中脚状图形的产生,从而可以形成具有优秀分辨率的掩模版图案。 | ||
搜索关键词: | 掩模基版 制作方法 具有 等离子体 加热 装置 涂胶 设备 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海传芯半导体有限公司,未经上海传芯半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110620806.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备