[发明专利]掩模基版的制作方法及具有等离子体加热装置的涂胶设备有效

专利信息
申请号: 202110620806.0 申请日: 2021-06-03
公开(公告)号: CN113311660B 公开(公告)日: 2023-07-18
发明(设计)人: 车翰宣;陈昊;张震 申请(专利权)人: 上海传芯半导体有限公司
主分类号: G03F1/60 分类号: G03F1/60;G03F1/80;G03F1/68;C23C14/00;C23C14/06;C23C14/35;C23C14/58
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 罗泳文
地址: 200120 上海市浦东新区中国(上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种掩模基版的制作方法及具有等离子体加热装置的涂胶设备,制作方法包括步骤:提供透光基板;在透光基板上沉积遮光膜;在遮光膜上沉积防反射膜,防反射膜为Cr的碱性氧化物;对防反射膜进行加热烘烤,以脱去防反射膜的水分,并对防反射膜表面进行氧等离子体处理,以在防反射膜表面形成氧化膜;于氧化膜上涂覆化学放大型光刻胶。本发明在防反射膜和化学放大型光刻胶界面形成了氧化膜,在曝光工艺处理时,可以有效避免由碱性防反射膜提供的电子和化学放大型光刻胶被光照激发产生的量子结合而发生的中和反应,避免化学放大型光刻胶中脚状图形的产生,从而可以形成具有优秀分辨率的掩模版图案。
搜索关键词: 掩模基版 制作方法 具有 等离子体 加热 装置 涂胶 设备
【主权项】:
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