[发明专利]掩模基版的制作方法及具有等离子体加热装置的涂胶设备

权利要求书

1.一种掩模基版的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括步骤：

提供透光基板；

在所述透光基板上沉积遮光膜；

在所述遮光膜上沉积防反射膜，所述防反射膜为Cr的碱性氧化物；

对所述防反射膜进行加热烘烤，以脱去所述防反射膜的水分，并对所述防反射膜表面进行氧等离子体处理，以在所述防反射膜表面形成氧化膜；

于所述氧化膜上涂覆化学放大型光刻胶；

所述氧化膜用于抑制所述防反射膜的电子向所述化学放大型光刻胶的扩散，避免所述化学放大型光刻胶与所述防反射膜界面处的中和反应。

2.根据权利要求1所述的掩模基版的制作方法，其特征在于：对所述防反射膜进行加热烘烤的温度范围介于150℃~250℃，加热时间范围介于5分钟~20分钟，以脱去所述防反射膜的水分。

3.根据权利要求1所述的掩模基版的制作方法，其特征在于：所述防反射膜包括CrON及CrCON中的一种，对所述防反射膜表面进行氧等离子体处理所通入的气体包括O₂及CO₂中的一种或两种的混合气体，以在所述防反射膜表面形成CrO膜，所述氧等离子体处理的时间介于5s~60s之间，所形成的氧化膜的厚度介于1nm~10nm之间。

4.根据权利要求1所述的掩模基版的制作方法，其特征在于：所述防反射膜的表面粗糙度介于0.01nmRa~0.5nmRa之间。

5.根据权利要求1所述的掩模基版的制作方法，其特征在于：所述化学放大型光刻胶包括可溶解于碱的树脂、光致产酸剂及溶剂。

6.根据权利要求1所述的掩模基版的制作方法，其特征在于：所述遮光膜包括CrN、CrCN中的一种。

7.根据权利要求1所述的掩模基版的制作方法，其特征在于：对所述防反射膜表面进行氧等离子体处理的气压介于1Pa~150Pa之间。

8.根据权利要求1所述的掩模基版的制作方法，其特征在于：于所述氧化膜上涂覆化学放大型光刻胶还包括对所述化学放大型光刻胶进行软烘的步骤，所述软烘的温度介于100℃~150℃之间，时间介于5min~20min之间。

9.根据权利要求1所述的掩模基版的制作方法，其特征在于：还包括对所述化学放大型光刻胶进行显影和曝光的步骤，在所述显影和曝光的过程中，所述氧化膜用于抑制所述防反射膜的电子向所述化学放大型光刻胶的扩散，避免所述化学放大型光刻胶与所述防反射膜界面处的中和反应。