[发明专利]一种对低维半导体载流子漂移过程直接成像的方法有效
| 申请号： | 202110620363.5 | 申请日： | 2021-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN113358607B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 姜澜;高国权;朱彤;杨飞;邓昱铭 | 申请（专利权）人： | 北京理工大学 |
| 主分类号： | G01N21/63 | 分类号： | G01N21/63;G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京正阳理工知识产权代理事务所(普通合伙) 11639 | 代理人： | 邬晓楠 |
| 地址： | 100081 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种对低维半导体载流子漂移过程直接成像的方法。该方法包括，利用载流子传输层实现载流子的空间分离，使样品内只存在单一种类的载流子(电子或空穴)；通过平行板电容施加空间上均匀分布的外部电场；使用瞬态吸收显微系统对不同时间延迟下的载流子分布情况进行直接成像；通过高斯曲线拟合得到载流子的平均漂移距离，进一步结合场强大小与时间延迟拟合计算电子(或空穴)的迁移率。本发明克服了传统方法无法对低维半导体材料迁移率进行精确测量的局限性，并且提出了对单一种类载流子迁移率测量的方法，为揭示材料的光物理过程、探究对材料迁移率的影响因素提供实验测量方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 载流子 漂移 过程 直接 成像 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京理工大学，未经北京理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110620363.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
