[发明专利]一种半绝缘磷化铟的制备方法有效
| 申请号： | 202110618255.4 | 申请日： | 2021-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN113308740B | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 王书杰;孙聂枫;徐森锋;孙同年;刘惠生 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B11/12;C30B33/02 |
| 代理公司： | 石家庄众志华清知识产权事务所(特殊普通合伙) 13123 | 代理人： | 聂旭中 |
| 地址： | 050000 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 一种半绝缘磷化铟的制备方法，属于晶体制备领域，使用半绝缘磷化铟的制备装置完成，所述制备装置包括密闭的炉体及炉体内的坩埚，包括以下步骤：步骤A、加热铟，形成铟熔体；步骤B、炉体内充入0.02‑0.3MPa的氢气，保压1‑5小时；将液态氧化硼覆盖在熔体表面；步骤C、炉体内充入6‑15MPa的惰性气体；步骤D、向铟熔体内注入磷气体；步骤E、晶体生长；步骤F、原位退火，完成半绝缘磷化铟的制备。采用本发明提出的方法，可以完成晶体的生长，并且在合适的空间内实现晶体的原位退火，尤其是需要在磷气氛下退火时，保证磷气体不凝结，维持退火空间内的压力，建立良好的退火环境，保证半绝缘磷化铟晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 磷化 制备 方法 | ||
【主权项】：
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