[发明专利]功率芯片单元的制造方法、功率封装模块的制造方法及功率封装模块有效
| 申请号： | 202110616300.2 | 申请日： | 2021-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN114267636B | 公开（公告）日： | 2023-10-10 |
| 发明（设计）人： | 季明华;张汝京 | 申请（专利权）人： | 青岛昇瑞光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/52;H01L25/16 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 高园园 |
| 地址： | 266426 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供一种功率芯片单元的制造方法、功率封装模块的制造方法及功率封装模块，在所述功率芯片单元和功率封装模块的制造方法中，在衬底上以“化整为零”方式形成若干功率芯片单元，然后将若干功率芯片单元以“化零为整”方式封装组合成功率封装模块。“化整为零”形成的小尺寸并带有保护环的功率芯片单元的良率较高，进而提高了功率芯片单元组合成的功率封装模块的产品良率，并降低了生产成本。同时，组合成的功率封装模块，可按照功能需求用不同尺寸规格和数量的功率芯片单元进行集成封装，得到多种大电流、电压规格的大功率封装模块，避免了不同规格的功率芯片和模块的特定制造和封装需求，改进了功率芯片、功率模块的制造效率和成本。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 芯片 单元 制造 方法 封装 模块 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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