[发明专利]功率芯片单元的制造方法、功率封装模块的制造方法及功率封装模块

权利要求书

1.一种功率芯片单元的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底，对所述衬底进行缺陷密度测量；

根据所述衬底的缺陷密度，利用预先设置的掩膜版在所述衬底上形成若干固定尺寸的功率单元，所述功率单元包括功率晶体管结构和保护环，所述保护环绕着所述功率晶体管结构设置；

对若干所述功率单元进行测试；

对所述衬底上的所述功率单元进行切割，得到若干测试合格相互独立的所述功率芯片单元。

2.根据权利要求1所述的功率芯片单元的制造方法，其特征在于，所述衬底包括：Si衬底、SiC衬底、GaN衬底。

3.根据权利要求1或2所述的功率芯片单元的制造方法，其特征在于，所述功率单元的外形包括正方形和长方形，且若干所述功率单元具有至少一种尺寸，所述功率单元的尺寸与所使用的掩膜版相关。

4.根据权利要求3所述的功率芯片单元的制造方法，其特征在于，所述功率单元的尺寸由所述衬底的缺陷密度决定：当所述衬底的缺陷密度为0～1/(100μm)²时，所述功率单元的基本边长为100μm；当所述衬底的缺陷密度为1/(100μm)²～1/(10μm)²时，所述功率单元的基本边长为10μm。

5.根据权利要求3所述的功率芯片单元的制造方法，其特征在于，所述功率单元的尺寸包括：5x5um、5x10um、5x20um、10x10μm、10x20μm、10x30μm、20x20μm、20x40μm、20x60μm、50x50μm、50x100μm、100x100μm、1000x1000μm。

6.根据权利要求4所述的功率芯片单元的制造方法，其特征在于，所述功率单元包括至少一个所述功率晶体管结构。

7.根据权利要求6所述的功率芯片单元的制造方法，其特征在于，所述功率晶体管结构包括：MOS管、IGBT管。

8.根据权利要求7所述的功率芯片单元的制造方法，其特征在于，所述功率单元具有相对设置的正面和背面，在每个所述功率晶体管结构中，所述功率晶体管结构的栅极与发射极设置在所述功率单元的正面，且所述功率晶体管结构的栅极与发射极并排呈矩形设置，所述功率晶体管结构的集电极设置在所述功率单元的背面。

9.根据权利要求8所述的功率芯片单元的制造方法，其特征在于，所述功率晶体管结构的栅极与发射极上形成有凸块阵列，用于所述功率芯片单元在封装时连接。

10.根据权利要求9所述的功率芯片单元的制造方法，其特征在于，当所述功率单元包括多个所述功率晶体管结构时，多个所述功率晶体管结构呈阵列设置，且多个所述功率晶体管结构的集电极连在一起；多个所述功率晶体管结构的发射极和栅极，各自在封装时会连在一起。

11.根据权利要求1所述的功率芯片单元的制造方法，其特征在于，所述功率单元包括多个所述保护环，多个所述保护环同心设置。

12.一种功率封装模块的制造方法，其特征在于，将驱动控制芯片及若干功率芯片单元集成封装在封装腔体内，且若干所述功率芯片单元在所述封装腔体内并行连接，得到所述功率封装模块；其中，所述功率芯片单元根据权利要求1～11中任意一项所述的功率芯片单元的制造方法制备得到。

13.一种功率封装模块，其特征在于，所述功率封装模块包括集成封装在封装腔体内的驱动控制芯片和若干功率芯片单元，若干所述功率芯片单元在所述封装腔体内并行连接，且所述驱动控制芯片分别与若干所述功率芯片单元连接；若干所述功率芯片单元具有至少一种尺寸，每个所述功率芯片单元包括至少一个功率晶体管结构和保护环，所述保护环绕着所述功率晶体管结构设置。