[发明专利]氮化镓功率器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202110613530.3 | 申请日： | 2021-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN113555356A | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 孙娜;高绪兵 | 申请（专利权）人： | 宁波达新半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L29/778;H01L21/335;H01L29/20 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 315400 浙江省宁波市余姚市经济开*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓功率器件，形成于半导体衬底上方；在半导体衬底中还同时集成有温敏器件；温敏器件设置在氮化镓功率器件的旁侧或周侧并用于测试氮化镓功率器件的结温；氮化镓功率器件的形成区域中，半导体衬底表面上叠加有多层氮化镓功率器件的外延层，氮化镓功率器件的外延层包括氮化镓沟道层和铝镓氮势垒层，在氮化镓沟道层和铝镓氮势垒层形成的异质结界面处形成有二维电子气；温敏器件的形成区域中，氮化镓功率器件的多层外延层都被去除，温敏器件的顶部直接通过金属互连结构引出。本发明还公开了一种氮化镓功率器件的制造方法。本发明能实现准确的在线结温检测，能兼容现有的硅器件的成熟测试方法和测试设备。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 功率 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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