[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202110612967.5 | 申请日： | 2021-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN113937158A | 公开（公告）日： | 2022-01-14 |
| 发明（设计）人： | 川﨑一纪;井上勇气;吉井佑介 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 龚诗靖 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够减小由条纹配线引起的配线电阻的半导体装置。半导体装置(1)包含：源极焊垫电极(21)，形成在第2层间绝缘层(17)之上；多个源极引出电极(22)，在第1方向(X)上从源极焊垫电极(21)引出；漏极焊垫电极(31)，形成在第2层间绝缘层(17)之上；及多个漏极引出电极(32)，在第1方向(X)上从漏极焊垫电极(31)引出。源极焊垫电极(21)及多个源极引出电极(22)电连接于被第2层间绝缘层(17)覆盖的条纹配线(100)的多个源极配线(85)。漏极焊垫电极(31)及多个漏极引出电极(32)电连接于条纹配线(100)的多个漏极配线(86)。多个漏极引出电极(32)与多个源极引出电极(22)啮合。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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