[发明专利]深紫外发光二极管的外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 202110601606.0 | 申请日： | 2021-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN113571617B | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 丁涛;龚程成;尹涌;梅劲 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/16;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种深紫外发光二极管的外延片及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该外延片包括衬底和依次形成在所述衬底上的第一AlN层、第二AlN层、氮原子层、第三AlN层、n型AlGaN层、多量子阱层和p型层，所述第二AlN层的表面粗糙度大于所述第一AlN层的表面粗糙度，所述氮原子层为通过等离子体处理形成于所述第二AlN层上的膜层。本公开实施例能够减少多层AlN薄膜中，因AlN的晶体原子排列不整齐，而导致AlN薄膜的晶体质量差的问题，改善外延片的晶体质量，提高深紫外发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 深紫 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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