[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202110598710.9 | 申请日： | 2021-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN113937159A | 公开（公告）日： | 2022-01-14 |
| 发明（设计）人： | 下沢慎;西村武义 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L23/532;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 周爽;杨敏 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，在形成接触沟槽部时，有半导体基板的硅缺陷从而降低元件特性的问题。提供一种半导体装置，其具备：第一导电型的漂移区，其设置在半导体基板；第二导电型的基区，其设置在半导体基板；第一导电型的发射区，其设置在半导体基板的正面；第二导电型的接触区，其设置在基区的正面，并且掺杂浓度高于基区的掺杂浓度；接触沟槽部，其设置在半导体基板的正面；第一阻挡层，其设置在接触沟槽部的侧壁和底面；以及第二阻挡层，其在接触沟槽部的侧壁与接触区接触地设置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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