[发明专利]一种提高FinFET器件性能的方法在审
| 申请号： | 202110597485.7 | 申请日： | 2021-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN113394107A | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种提高FinFET器件性能的方法，Fin结构的顶部设有外延结构，在外延结构表面覆盖一层非晶硅外延层；在栅结构之间的空间填充覆盖非晶硅外延层的金属硅化物；对金属硅化物进行退火。本发明在不进行预非晶化注入的前提下，增加非晶硅外延层以均匀化金属硅化物，从而不会产生传统工艺中由于预非晶化的注入导致Fin结构上的外延结构损伤的问题，能够提高器件性能，另一方面由于非晶硅外延层在退火过程中被完全消耗，从而不会引起接触电阻的升高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 finfet 器件 性能 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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