[发明专利]一种宽量程压力传感器芯片及其单片集成制备方法在审

专利信息
申请号: 202110593586.7 申请日: 2021-05-28
公开(公告)号: CN113371674A 公开(公告)日: 2021-09-10
发明(设计)人: 王高峰;王明浩;程瑜华 申请(专利权)人: 杭州电子科技大学温州研究院有限公司;杭州电子科技大学
主分类号: B81B7/02 分类号: B81B7/02;B81C1/00
代理公司: 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 代理人: 陈炜
地址: 325024 浙江省温州市龙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种宽量程压力传感器芯片及其单片集成制备方法。现有的压力传感器芯片存在线性度和灵敏度低以及量程较窄的问题。本发明涉及压阻式压力传感器的单片微加工制备。该压力传感器主要由真空腔室、压力敏感膜以及由四个压阻形成的惠斯通电桥构成。其中,压力敏感膜由硅膜和聚酰亚胺膜构成,这种新型的硅‑聚酰亚胺复合压敏膜一方面可以通过增加膜厚来增大压力传感器的测量范围,另一方面通过刚性和柔性的结合可以提高压力传感器的灵敏度和线性度。当外界压力变化时,硅膜和聚酰亚胺膜的共同形变引起压阻的阻值变化并使得惠斯通电桥的输出电压改变。
搜索关键词: 一种 量程 压力传感器 芯片 及其 单片 集成 制备 方法
【主权项】:
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