[发明专利]半导体器件的制备方法在审
| 申请号： | 202110588514.3 | 申请日： | 2021-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN115410907A | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 杨蒙蒙;白杰 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/033;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 该发明公开了一种半导体器件的制备方法，包括：提供衬底；于衬底表面形成堆叠层，堆叠层包括第一类型区域和第二类型区域，第一类型区域和第二类型区域相邻设置；于第一类型区域的表面形成掩膜层；于掩膜层的侧壁形成遮挡层，遮挡层遮挡部分第二类型区域的表面；以掩膜层和遮挡层为掩膜刻蚀第二类型区域，遮挡层遮挡的第二类型区域形成有侧向侵蚀，遮挡层的宽度大于第二类型区域的侧向侵蚀的最大宽度；去除遮挡层以暴露其遮挡的部分第二类型区域；去除暴露的部分第二类型区域以使第一类型区域的侧壁垂直平齐，根据本发明实施例的半导体器件的制备方法能够减小刻蚀处理过程中对相邻侧壁的过刻蚀影响，提高产品性能和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
