[发明专利]一种级联型光电探测器及其制造方法

摘要

本发明公开了一种级联型光电探测器及其制造方法，所述级联型光电探测器包括，衬底以及形成于衬底之上的第一光电探测器、第二光电探测器，所述第一光电探测器和第二光电探测器串联连接以实现光路和电路的同时串联。所述第一光电探测器包括依次设置的P电极、P型欧姆接触层、第一P型半导体、第一吸收区半导体和第一N型半导体；所述第二光电探测器包括依次设置的第二P型半导体、第二吸收区半导体、第二N型半导体和N型欧姆接触层；还包括分布于所述第二N型半导体两侧并与所述N型欧姆接触层相邻设置的第一N电极和第二N电极。该级联型光电探测器能够在相同尺寸下提高器件RC限制带宽，降低器件RC时间常数，降低大带宽与高饱和特性之间的矛盾。