[发明专利]一种级联型光电探测器及其制造方法

权利要求书

1.一种级联型光电探测器，其特征在于，包括衬底以及形成于衬底之上的第一光电探测器、第二光电探测器，所述第一光电探测器和第二光电探测器串联连接以实现光路和电路的同时串联。

2.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，

所述第一光电探测器包括依次设置的P电极、P型欧姆接触层、第一P型半导体、第一吸收区半导体和第一N型半导体；

所述第二光电探测器包括依次设置的第二P型半导体、第二吸收区半导体、第二N型半导体和N型欧姆接触层，还包括分布于所述第二N型半导体两侧并与所述N型欧姆接触层相邻设置的第一N电极和第二N电极。

3.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，

所述第一光电探测器和第二光电探测器之间设置有相连的重掺杂N型半导体层和重掺杂P型半导体层，用于实现所述第一光电探测器和第二光电探测器的串联连接。

4.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述第一光电探测器和第二光电探测器的响应度相同。

5.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，

所述衬底为半绝缘材料或掺杂N型衬底。

6.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，

所述级联型光电探测器为台面结构探测器。

7.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，

所述级联型光电探测器同时适用于背入射和正入射。

8.一种级联型光电探测器的制造方法，其特征在于，

在衬底上依次生长第二探测器层、重掺杂P型半导体层、重掺杂N型半导体层和第一探测器层；

所述第二探测器层包括依次设置的N型欧姆接触层、第二N型半导体、第二吸收区半导体和第二P型半导体；

所述第一探测器包括依次设置的第一N型半导体、第一吸收区半导体、第一P型半导体和P型欧姆接触层；

在第一探测器的P型欧姆接触层远离衬底方向制作P电极作为信号电极；

刻蚀所述第一探测器的P型欧姆接触层、第一P型半导体、第一吸收区半导体、第一N型半导体、重掺杂N型半导体层、重掺杂P型半导体层、第二探测器的第二P型半导体、第二吸收区半导体、第二N半导体，露出第二探测器的N型欧姆接触层，引出N型电极作为地电极。