[发明专利]一种大功率放电管芯片制造工艺在审
| 申请号： | 202110587509.0 | 申请日： | 2021-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN113314410A | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 崔文荣 | 申请（专利权）人： | 江苏晟驰微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京天盾知识产权代理有限公司 11421 | 代理人： | 丁桂红 |
| 地址： | 226600 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于芯片制造技术领域，尤其是一种大功率放电管芯片制造工艺，针对现有的放电管芯片制作方式复杂，且制作芯片漏电流高，电容值高，高温反偏性能弱，抗浪涌能力弱的问题，现提出如下方案，其包括以下步骤：S1：扩散前处理；S2：氧化；S3：单向光刻；S4：低温氧化；S5：离子注入；S6：氧化表面处理；S7：光刻处理；S8：测试，所述S1中准备并采用N型单晶硅片，通过酸、SC3#配方清洗工序，对硅片表面进行化学处理。本发明设计成正面TSS，背面TVS与AK系列TVS合并封装成一种保护器件，漏电流低，电容值低，高温反偏性能强，抗浪涌能力强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大功率 放电 芯片 制造 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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