[发明专利]一种大功率放电管芯片制造工艺

说明书

本发明属于芯片制造技术领域，尤其是一种大功率放电管芯片制造工艺，针对现有的放电管芯片制作方式复杂，且制作芯片漏电流高，电容值高，高温反偏性能弱，抗浪涌能力弱的问题，现提出如下方案，其包括以下步骤：S1：扩散前处理；S2：氧化；S3：单向光刻；S4：低温氧化；S5：离子注入；S6：氧化表面处理；S7：光刻处理；S8：测试，所述S1中准备并采用N型单晶硅片，通过酸、SC3#配方清洗工序，对硅片表面进行化学处理。本发明设计成正面TSS，背面TVS与AK系列TVS合并封装成一种保护器件，漏电流低，电容值低，高温反偏性能强，抗浪涌能力强。

技术领域

本发明涉及芯片制造技术领域，尤其涉及一种大功率放电管芯片制造工艺。

背景技术

半导体放电管广泛应用于通讯交换设备中的程控交换机、电话机、传真机、配线架、通讯接口、通讯发射设备等一切需要防雷保护的领域，以保护其内部的1C免受瞬间过电压的冲击和破坏。

现有的放电管芯片制作方式复杂，且制作芯片漏电流高，电容值高，高温反偏性能弱，抗浪涌能力弱。

发明内容

本发明的目的是为了解决现有的放电管芯片制作方式复杂，且制作芯片漏电流高，电容值高，高温反偏性能弱，抗浪涌能力弱的缺点，而提出的一种大功率放电管芯片制造工艺。

为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：

一种大功率放电管芯片制造工艺，包括以下步骤：

S1：扩散前处理；

S2：氧化；

S3：单向光刻；

S4：低温氧化；

S5：离子注入；

S6：氧化表面处理；

S7：光刻处理；

S8：测试。

优选的，所述S1中准备并采用N型单晶硅片，通过酸、SC3#配方清洗工序，对硅片表面进行化学处理。

优选的，所述S2中把扩散前处理的硅片在1150℃的氧化炉中氧化形成一层氧化层。

优选的，所述S3中把氧化后的硅片进行涂胶、曝光、显影、去氧化层等工序，在正面刻出一次扩散图形。

优选的，所述S4中光刻完成后，对硅片表面再次进行低温氧化形成很薄的氧化层。

优选的，所述S5中低温氧化完成后对硅片表面进行离子注入，然后注入磷，磷利用120h推结成型。

优选的，所述S6中氧化表面处理具体包括以下步骤：

第一，对硅片表面进行硼氧化和镓扩散，在硅片表面，用硼涂布源工艺进行涂布，在高温时，沉积100分钟左右，可得到合适的低浓度沉积层，借助后道推进流程，将稼深度推到本产品所需的合适深度，形成稼层区；

第二，进行单向发射区光刻，在正面刻出一次扩散图形；

第三，磷预扩，对硅表面进行气态磷预扩；

第四，硼预扩，对硅表面进行硼涂布，在高温时，沉积60-80min，然后漂净氧化层；

第五，发射区扩散，硼氧化。

优选的，所述S7中光刻处理包括以下步骤：

第一，在硅表面进行沟槽光刻；

第二，在硅表面接触区进行光刻；

第三，利用高温蒸发金属；

第四，金属光刻。