[发明专利]功率元件及其制造方法在审
| 申请号： | 202110583821.2 | 申请日： | 2021-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN115411089A | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 罗国轩;黄建豪;陈巨峰;翁武得;邱建维 | 申请（专利权）人： | 立锜科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提出一种功率元件及其制造方法。功率元件包含：半导体层、阱区、本体区、栅极、子栅极、源极与漏极以及电场调整区。其中，子栅极形成于半导体层之上表面上，且部分阱区位于子栅极正下方，且子栅极与栅极不直接连接。电场调整区具有与阱区相反的导电型，且电场调整区形成于半导体层的上表面下且不连接于该上表面。电场调整区位于半导体层的阱区中，且至少部分电场调整区位于子栅极的正下方。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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