[发明专利]功率元件及其制造方法

权利要求书

1.一种功率元件，包含：

一半导体层，形成于一基板上，该半导体层具有一上表面；

一阱区，具有一第一导电型，形成于该半导体层中，且该阱区位于该上表面下并连接于该上表面；

一本体区，具有一第二导电型，形成于该半导体层中，且该本体区位于该上表面下并连接于该上表面，该本体区于一通道方向上，与该阱区邻接；

一栅极，形成于该上表面上，部分该本体区位于该栅极正下方并连接于该栅极，以提供该功率元件在一导通操作中的一反转电流通道，且部分该阱区位于该栅极正下方，以提供该功率元件在该导通操作中的一漂移电流通道；

一子栅极，形成于该上表面上，且部分该阱区位于该子栅极正下方，且该子栅极与该栅极不直接连接；

一源极与一漏极，具有该第一导电型，且该源极与该漏极形成于该上表面下并连接于该上表面，且该源极与该漏极分别位于该栅极的外部下方的该本体区中与远离该本体区侧的该阱区中，且由俯视图视之，该子栅极介于该栅极与该漏极之间；以及

一电场调整区，具有该第二导电型，且该电场调整区形成于该上表面下且不连接于该上表面，该电场调整区位于该半导体层的该阱区中，且该电场调整区介于该本体区与该漏极之间。

2.如权利要求1所述的功率元件，其中，还包含一电阻调整区，具有该第一导电型，且该电阻调整区形成于该上表面下且连接于该上表面，该电阻调整区位于该半导体层的该阱区中的该电场调整区上方，且该电阻调整区介于该本体区与该漏极之间。

3.如权利要求2所述的功率元件，其中，该电场调整区连接于该电阻调整区下方。

4.如权利要求2所述的功率元件，其中，该电阻调整区与该电场调整区由同一个微影工艺步骤所定义。

5.如权利要求1所述的功率元件，其中，该子栅极电性浮接或电连接于该源极。

6.如权利要求1所述的功率元件，其中，还包含：

一第一深阱区，具有该第二导电型，其中该第一深阱区形成于该半导体层中的该阱区与该本体区下方，且于该半导体层中，该第一深阱区自下方完全连接并覆盖该阱区与该本体区；以及

一第二深阱区，具有该第一导电型，其中该第二深阱区形成于该半导体层中的该第一深阱区下方，且于该半导体层中，该第二深阱区自下方完全连接并覆盖该第一深阱区。

7.如权利要求2所述的功率元件，其中，还包含一漂移氧化区，形成于该上表面上，连接于该子栅极下，且至少部分该电阻调整区与该电场调整区位于该漂移氧化区正下方。

8.如权利要求2所述的功率元件，其中，该电阻调整区与该电场调整区完全不位于该栅极的正下方。

9.如权利要求2所述的功率元件，其中，该电阻调整区与该电场调整区由该子栅极所定义。