[发明专利]一种双脉冲飞秒激光沉积超高频率响应超级电容的方法在审

专利信息
申请号: 202110581968.8 申请日: 2021-05-24
公开(公告)号: CN113314357A 公开(公告)日: 2021-08-27
发明(设计)人: 姜澜;张子豪;李欣;张学强;许晨阳 申请(专利权)人: 北京理工大学
主分类号: H01G11/86 分类号: H01G11/86;H01G11/32;H01G11/44;B23K26/00
代理公司: 北京正阳理工知识产权代理事务所(普通合伙) 11639 代理人: 邬晓楠
地址: 100081 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种双脉冲飞秒激光沉积超高频率响应超级电容的方法,属于飞秒激光应用技术领域。本发明采用时域整形的双脉冲飞秒激光结合脉冲激光自下而上沉积的制造方法成功制备了一种具有超高频率响应特性的超级电容,该方法为研究超高频响应超级电容提供了一个新颖的角度,有望在未来应用于小型化便携式电子设备的超高频滤波单元上。对于该方法,一方面经过双脉冲飞秒激光加工的碳材料具有丰富且均匀的孔径分布和高的比表面积,另一方面脉冲激光自下而上原位转移沉积碳材料使得电极材料的堆叠均匀有序。
搜索关键词: 一种 脉冲 激光 沉积 超高 频率响应 超级 电容 方法
【主权项】:
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