[发明专利]一种双脉冲飞秒激光沉积超高频率响应超级电容的方法

权利要求书

1.一种双脉冲飞秒激光沉积超高频率响应超级电容的方法，其特征在于：是通过飞秒激光一步法加工碳基前体薄膜材料且原位转移、沉积制备多孔碳电极；进一步将电极用于制备超高频率响应的超级电容。

2.一种双脉冲飞秒激光沉积超高频率响应超级电容的方法，其特征在于：将碳基前体薄膜材料在体积比为1：1：1的去离子水、异丙醇和丙酮的混合溶液中超声处理，以去除表面杂质，然后在干燥箱中干燥；将干燥后的薄膜裁剪成合适大小固定到加工平台上，再将透明基底覆盖在预处理过的碳基前体薄膜材料的上表面；通过电脑控制加工平移台，调节飞秒激光的焦点使之位于透明基底与碳基前体薄膜材料的交界面处；然后按照指定的路径进行飞秒激光直写加工，在透明基底上沉积出微型超级电容的电极，最后在电解质溶液里测得了其超高频率响应特性。

3.如权利要求1或2所述的双脉冲飞秒激光沉积超高频率响应超级电容的方法，其特征在于：所述碳基前体薄膜材料包括：聚酰亚胺薄膜、氧化石墨烯薄膜。

4.如权利要求1或2所述的双脉冲飞秒激光沉积超高频率响应超级电容的方法，其特征在于：所述透明基底包括高透性二氧化硅等硬性基底，以及PDMS等柔性基底。

5.如权利要求1或2所述的双脉冲飞秒激光沉积超高频率响应超级电容的方法，其特征在于：所述飞秒激光为单脉冲飞秒激光或双脉冲飞秒激光。

6.如权利要求5所述的双脉冲飞秒激光沉积超高频率响应超级电容的方法，其特征在于：所述飞秒激光脉冲的能量为160μJ-360μJ。

7.如权利要求5所述的双脉冲飞秒激光沉积超高频率响应超级电容的方法，其特征在于：所述双脉冲飞秒激光的脉冲延时小于等于8ps。