[发明专利]半导体功率器件斜坡场板的制作方法有效
| 申请号： | 202110579844.6 | 申请日： | 2021-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN113314405B | 公开（公告）日： | 2022-07-26 |
| 发明（设计）人： | 李健儿;冯艾城;李学良;冯永;胡仲波;唐毅;刘继芝;鲜贵容 | 申请（专利权）人： | 四川上特科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/40;G03F7/20 |
| 代理公司： | 石家庄科诚专利事务所(普通合伙) 13113 | 代理人： | 刘丽丽;张帆 |
| 地址： | 629000 *** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体功率器件斜坡场板的制作方法，首先，对应斜坡区域设计两块灰度光刻版，然后在每块光刻版灰度区域，设置尺寸小于光刻分辨率的均匀栅格，并在各个栅格对铬层开孔制得灰度光刻版；接着，以这两块灰度光刻版为掩膜对光刻胶先后两次曝光，显影后产生斜坡光刻胶，再以斜坡光刻胶作为掩膜进行等离子干法刻蚀，最后进行金属淀积与反应离子刻蚀，制得斜坡场板。本发明提供的方法简化了工艺步骤，降低了工艺难度和成本，使用较少的工艺步骤和成本实现斜坡场板制作，同时相对于一次曝光，双曝光增加了对斜坡场板范围与梯度的选择。本发明属于半导体集成电路制造技术领域，用于制作斜坡场板。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 功率 器件 斜坡 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
