[发明专利]高压半导体器件横向非均匀掺杂方法在审
| 申请号： | 202110579842.7 | 申请日： | 2021-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN113436967A | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 廖楠;黄武;金晓静;赵建明;夏建新 | 申请（专利权）人： | 四川蓝彩电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;G03F1/68;G03F1/70;G03F7/16 |
| 代理公司： | 石家庄科诚专利事务所(普通合伙) 13113 | 代理人： | 刘丽丽;张帆 |
| 地址： | 629000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种高压半导体器件横向非均匀掺杂方法，首先，设计两块灰度光刻版；然后，在每块光刻版灰度区域，设置尺寸小于光刻分辨率的均匀栅格，并对栅格铬层开孔制得灰度图像光刻版；接着，以这两块灰度光刻版作为掩膜对光刻胶先后两次曝光，显影后产生横向厚度非均匀的光刻胶；最后透过对厚度非均匀光刻胶掩膜杂质离子注入，即可实现横向非均匀掺杂。采用上述方法，无需对注入能量、注入剂量以及高温推进扩散时间等诸多工艺参数进行调整，能够降低工艺难度和成本、缩短工艺时间；同时，双曝光增加了对非均匀掺杂范围与梯度的选择；本发明属于半导体集成电路制造技术领域，适用于采用非均匀灰度光刻版以实现表面耗尽区扩展的结终端制备。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 半导体器件 横向 均匀 掺杂 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于四川蓝彩电子科技有限公司，未经四川蓝彩电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110579842.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
