[发明专利]晶圆切割道内连线结构在审
| 申请号： | 202110579437.5 | 申请日： | 2021-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN115410985A | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 朱雅莉;王亚平;费春潮;柏新星 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/74 | 分类号： | H01L21/74;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京市一法律师事务所 11654 | 代理人： | 刘荣娟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请技术方案提供一种晶圆切割道内连线结构，所述晶圆切割道包括非激光切割区和位于所述非激光切割区两侧的激光切割区，所述连线结构包括：顶层引线层，位于所述非激光切割区的主体部分；顶层导电层，位于所述激光切割区及所述顶层引线层两侧的非激光切割区；衬垫层，位于所述顶层引线层和所述顶层导电层上方的非激光切割区和激光切割区，其中所述顶层引线层与所述衬垫层直接连接，所述顶层导电层与所述衬垫层之间还包括第一钝化层。本申请技术方案的晶圆切割道内连线结构可以在不影响DED的发生概率和严重程度的情况下，显著提升WAT电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 切割 连线 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
