[发明专利]晶圆切割道内连线结构

说明书

本申请技术方案提供一种晶圆切割道内连线结构，所述晶圆切割道包括非激光切割区和位于所述非激光切割区两侧的激光切割区，所述连线结构包括：顶层引线层，位于所述非激光切割区的主体部分；顶层导电层，位于所述激光切割区及所述顶层引线层两侧的非激光切割区；衬垫层，位于所述顶层引线层和所述顶层导电层上方的非激光切割区和激光切割区，其中所述顶层引线层与所述衬垫层直接连接，所述顶层导电层与所述衬垫层之间还包括第一钝化层。本申请技术方案的晶圆切割道内连线结构可以在不影响DED的发生概率和严重程度的情况下，显著提升WAT电性能。

技术领域

本申请涉及晶圆测试领域，尤其涉及一种晶圆切割道内连线结构。

背景技术

在芯片封装工艺中，会进行激光开槽(Laser groove process)，目的是为了去除晶圆切割道(wafer scribe lane)内部需要切割区域的全部电路结构层，从而为后续机械性切割时的刀具提供预留作业空间，避免刀具对晶粒边缘造成破坏。

由于激光(laser)在切割道(scribe lane)区域内快速烧灼的过程中，必然经过不同的结构层，例如测试结构、较为空旷区域等，尤其是在切割道的交接地带，可能会引起局部细微爆裂，此种爆裂易发生在钝化层或低介电常数(low k)层，其范围如果过大或超出控制，将带来晶粒边缘分层(DED，die edge delamination)的风险。

由于切割道的结构设计发生在晶圆制造阶段，而激光开槽工艺发生在封装阶段，且各封装厂的参数设备条件不一，同时由于激光切割在多数情况下，将不可避免的触及测试结构(Test key)，测试结构一般包括衬垫层(Pad)和下层的金属层(Metal)，Metal的设计对DED 问题发生概率和严重程度有着重要影响，同时Metal的面积又制约着晶圆可靠性测试(WAT)电性能。

发明内容

本申请要解决的技术问题是提供一种晶圆切割道内连线结构，可以在不影响DED的发生概率和严重程度的情况下，显著提升WAT电性能。

为解决上述技术问题，本申请提供了一种晶圆切割道内连线结构，所述晶圆切割道包括非激光切割区和位于所述非激光切割区两侧的激光切割区，所述连线结构包括：顶层引线层，位于所述非激光切割区的主体部分；顶层导电层，位于所述激光切割区及所述顶层引线层两侧的非激光切割区；衬垫层，位于所述顶层引线层和所述顶层导电层上方的非激光切割区和激光切割区，其中所述顶层引线层与所述衬垫层直接连接，所述顶层导电层与所述衬垫层之间还包括第一钝化层。

在本申请实施例中，所述激光切割区为自所述晶圆切割道边缘向内部延伸特定宽度的区域。

在本申请实施例中，所述顶层引线层在垂直于所述晶圆切割道延伸方向的宽度小于或等于所述非激光切割区的宽度。

在本申请实施例中，所述顶层引线层在垂直于所述晶圆切割道延伸方向的宽度不超过27μm，所述顶层引线层在平行于所述晶圆切割道的延伸方向上的宽度为50μm-100μm。

在本申请实施例中，所述顶层引线层与所述衬垫层的接触面呈圆形或多边形。

在本申请实施例中，所述顶层导电层包括自所述顶层引线层边缘向外延伸且间隔排列的条状结构以及连接所述条状结构末端的环状结构。

在本申请实施例中，所述环状结构的截面呈四边形，其中与所述晶圆切割道的延伸方向垂直的第一边和第二边横跨所述非激光切割区和所述激光切割区，与所述晶圆切割道的延伸方向平行的第三边和第四边位于所述激光切割区。

在本申请实施例中，所述第一边和所述第二边的长度大小为 27μm-44μm。

在本申请实施例中，连接所述第一边和所述顶层引线层、所述第二边和所述顶层引线层的条状结构位于所述非激光切割区，连接所述第三边和所述顶层引线层、所述第四边和所述顶层引线层的条状结构位于所述激光切割区。