[发明专利]晶圆切割道内连线结构在审
| 申请号: | 202110579437.5 | 申请日: | 2021-05-26 |
| 公开(公告)号: | CN115410985A | 公开(公告)日: | 2022-11-29 |
| 发明(设计)人: | 朱雅莉;王亚平;费春潮;柏新星 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/74 | 分类号: | H01L21/74;H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京市一法律师事务所 11654 | 代理人: | 刘荣娟 |
| 地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 切割 连线 结构 | ||
1.一种晶圆切割道内连线结构,所述晶圆切割道包括非激光切割区和位于所述非激光切割区两侧的激光切割区,其特征在于,所述连线结构包括:
顶层引线层,位于所述非激光切割区的主体部分;
顶层导电层,位于所述激光切割区及所述顶层引线层两侧的非激光切割区;
衬垫层,位于所述顶层引线层和所述顶层导电层上方的非激光切割区和激光切割区,其中所述顶层引线层与所述衬垫层直接连接,所述顶层导电层与所述衬垫层之间还包括第一钝化层。
2.根据权利要求1所述的晶圆切割道内连线结构,其特征在于,所述激光切割区为自所述晶圆切割道边缘向内部延伸特定宽度的区域。
3.根据权利要求1所述的晶圆切割道内连线结构,其特征在于,所述顶层引线层在垂直于所述晶圆切割道延伸方向的宽度小于或等于所述非激光切割区的宽度。
4.根据权利要求3所述的晶圆切割道内连线结构,其特征在于,所述顶层引线层在垂直于所述晶圆切割道延伸方向的宽度不超过27μm,所述顶层引线层在平行于所述晶圆切割道的延伸方向上的宽度为50μm-100μm。
5.根据权利要求1所述的晶圆切割道内连线结构,其特征在于,所述顶层引线层与所述衬垫层的接触面呈圆形或多边形。
6.根据权利要求1所述的晶圆切割道内连线结构,其特征在于,所述顶层导电层包括自所述顶层引线层边缘向外延伸且间隔排列的条状结构以及连接所述条状结构末端的环状结构。
7.根据权利要求6所述的晶圆切割道内连线结构,其特征在于,所述环状结构的截面呈四边形,其中与所述晶圆切割道的延伸方向垂直的第一边和第二边横跨所述非激光切割区和所述激光切割区,与所述晶圆切割道的延伸方向平行的第三边和第四边位于所述激光切割区。
8.根据权利要求7所述的晶圆切割道内连线结构,其特征在于,所述第一边和所述第二边的长度大小为27μm-44μm。
9.根据权利要求7所述的晶圆切割道内连线结构,其特征在于,连接所述第一边和所述顶层引线层、所述第二边和所述顶层引线层的条状结构位于所述非激光切割区,连接所述第三边和所述顶层引线层、所述第四边和所述顶层引线层的条状结构位于所述激光切割区。
10.根据权利要求9所述的晶圆切割道内连线结构,其特征在于,位于所述激光切割区的条状结构的数量小于位于所述非激光切割区的条状结构的数量。
11.根据权利要求6所述的晶圆切割道内连线结构,其特征在于,相邻所述条状结构之间还包括介质层。
12.根据权利要求1所述的晶圆切割道内连线结构,其特征在于,还包括第二钝化层,位于所述第一钝化层上方的衬垫层的表面。
13.根据权利要求12所述的晶圆切割道内连线结构,其特征在于,所述第一钝化层和所述第二钝化层的材料包括硅化合物。
14.根据权利要求1所述的晶圆切割道内连线结构,其特征在于,所述衬垫层的材料包括铝。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





