[发明专利]基于台阶状P型CBN与SiC混合结构的4H-SiC二极管及制备方法有效
| 申请号： | 202110559929.8 | 申请日： | 2021-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN113517356B | 公开（公告）日： | 2023-08-04 |
| 发明（设计）人： | 李京波;王小周;赵艳 | 申请（专利权）人： | 浙江芯科半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L29/36;H01L21/329 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 李园园 |
| 地址： | 311400 浙江省杭州市富*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于台阶状P型CBN与SiC混合结构的4H‑SiC二极管，包括：自下而上依次层叠设置的欧姆接触电极、N型SiC衬底层、N型SiC外延层和肖特基接触电极，其中，肖特基接触电极位于N型SiC外延层的中间区域；N型SiC外延层上表面的边缘形成阶梯状环形台阶；N型SiC外延层上表面的中间区域设置有T型凹槽；N型SiC外延层上表面边缘的底层的台阶面上设置有第一P型注入区；N型SiC外延层上表面边缘的中间层和顶层的台阶面上设置有第一P型终端；T型凹槽的外围绕设有第二P型终端；T型凹槽的下方设置有第二P型注入区。本发明的4H‑SiC二极管，提升了中间区域的正向电流导通路径，通过P型氮化硼和碳化硅材料之间的调控，可以提高电场分布均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 台阶 cbn sic 混合结构 二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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