[发明专利]一种导电膜气离式刻蚀工艺有效
| 申请号： | 202110556165.7 | 申请日： | 2021-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN113488385B | 公开（公告）日： | 2022-10-28 |
| 发明（设计）人： | 高中彦 | 申请（专利权）人： | 刘军 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;C09K13/06 |
| 代理公司： | 江门市博盈知识产权代理事务所(普通合伙) 44577 | 代理人： | 何办君 |
| 地址： | 529000 广东省江门市蓬江区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种导电膜气离式刻蚀工艺，属于刻蚀技术领域，本发明可以通过在蚀刻油墨中掺入多个气离微球，并在导电膜下方间歇性施加磁场，迫使气离微球间歇性的对蚀刻油墨进行挤压，使得蚀刻油墨与导电膜充分接触进行蚀刻，然后对蚀刻油墨进行加热烘干，同时触发气离微球释放气体的动作，使得气体填充至缝隙中有助于蚀刻油墨的剥离，降低蚀刻油墨成膜后的剥离强度，伴随着气体的释放，磁性物质也会充斥于蚀刻油墨的缝隙中，再将磁场转移至导电膜上方，依靠对磁性物质的磁吸作用下，从而对膜产生均匀的多点剥离力，加速膜的剥离，不仅剥离简单，不易出现残留现象，同时可以避免对导电线路造成损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 导电 膜气离式 刻蚀 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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