[发明专利]一种导电膜气离式刻蚀工艺

说明书

本发明公开了一种导电膜气离式刻蚀工艺，属于刻蚀技术领域，本发明可以通过在蚀刻油墨中掺入多个气离微球，并在导电膜下方间歇性施加磁场，迫使气离微球间歇性的对蚀刻油墨进行挤压，使得蚀刻油墨与导电膜充分接触进行蚀刻，然后对蚀刻油墨进行加热烘干，同时触发气离微球释放气体的动作，使得气体填充至缝隙中有助于蚀刻油墨的剥离，降低蚀刻油墨成膜后的剥离强度，伴随着气体的释放，磁性物质也会充斥于蚀刻油墨的缝隙中，再将磁场转移至导电膜上方，依靠对磁性物质的磁吸作用下，从而对膜产生均匀的多点剥离力，加速膜的剥离，不仅剥离简单，不易出现残留现象，同时可以避免对导电线路造成损伤。

技术领域

本发明涉及刻蚀技术领域，更具体地说，涉及一种导电膜气离式刻蚀工艺。

背景技术

刻蚀，英文为Etch，它是半导体制造工艺，微电子IC制造工艺以及微纳制造工艺中的一种相当重要的步骤。是与光刻相联系的图形化(pattern)处理的一种主要工艺。所谓刻蚀，实际上狭义理解就是光刻腐蚀，先通过光刻将光刻胶进行光刻曝光处理，然后通过其它方式实现腐蚀处理掉所需除去的部分。刻蚀是用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程，其基本目标是在涂胶的硅片上正确地复制掩模图形。随着微制造工艺的发展，广义上来讲，刻蚀成了通过溶液、反应离子或其它机械方式来剥离、去除材料的一种统称，成为微加工制造的一种普适叫法。

现有技术中出现采用蚀刻油墨对导电膜进行蚀刻从而形成导电线路的方法，此法中蚀刻油墨在蚀刻后会形成一层薄膜，从而可以直接剥离免除水洗等繁琐的工序。

但是在实际操作过程中，由于蚀刻油墨厚度较薄只有几十微米，从而形成薄膜的厚度也极薄，在剥离的过程中容易出现部分破裂而无法完全剥离的现象，后续需要采用刮刀等手段进行机械剥离，不仅操作难度高，且容易对导电线路造成损伤，而蚀刻油墨厚度加厚后，尽管剥离过程中不容易出现断裂现象，但是剥离难度也随之增加，难以有效剥离。

发明内容

1.要解决的技术问题

针对现有技术中存在的问题，本发明的目的在于提供一种导电膜气离式刻蚀工艺，可以通过在蚀刻油墨中掺入多个气离微球，并在导电膜下方间歇性施加磁场，迫使气离微球间歇性的对蚀刻油墨进行挤压，使得蚀刻油墨与导电膜充分接触进行蚀刻，然后对蚀刻油墨进行加热烘干，同时触发气离微球释放气体的动作，使得气体填充至缝隙中有助于蚀刻油墨的剥离，降低蚀刻油墨成膜后的剥离强度，伴随着气体的释放，磁性物质也会充斥于蚀刻油墨的缝隙中，再将磁场转移至导电膜上方，依靠对磁性物质的磁吸作用下，从而对膜产生均匀的多点剥离力，加速膜的剥离，不仅剥离简单，不易出现残留现象，同时可以避免对导电线路造成损伤。

2.技术方案

为解决上述问题，本发明采用如下的技术方案。

一种导电膜气离式刻蚀工艺，包括以下步骤：

S1、提前根据导电膜材质配制好蚀刻油墨，并依次经过分散、研磨、过滤后备用；

S2、将蚀刻油墨涂布至导电膜上，然后取多个气离微球埋入蚀刻油墨中；

S3、在导电膜背面间歇性施加磁场，迫使气离微球间歇性的对蚀刻油墨进行挤压，使得蚀刻油墨与导电膜充分接触进行蚀刻；

S4、蚀刻结束后撤销磁场，然后进行加热烘干，同时触发气离微球释放气体的动作，使得气体填充至缝隙中有助于蚀刻油墨的剥离；

S5、待蚀刻油墨成膜后，将磁场转移至导电膜上方，从而加速膜的剥离，导电膜上的导电线路即制作完成。

进一步的，所述步骤S1中导电膜的材质为氧化铟锡透明导电膜。

进一步的，所述步骤S1中蚀刻油墨按以下成分及重量百分比进行配制：20％的有机与无机混合酸液、10％的聚醋酸乙烯酯、20％的聚乙烯醇树脂、13％的无机填料、30％的水以及7％的其他助剂或颜料。