[发明专利]基于碳纳米管的瞬态场效应晶体管的CMOS电路及制备方法有效
| 申请号： | 202110549606.0 | 申请日： | 2021-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN113299832B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 胡又凡;夏梵 | 申请（专利权）人： | 北京大学;钱塘科技创新中心 |
| 主分类号： | H10K85/20 | 分类号： | H10K85/20;H10K10/46;H10K19/10;H10K71/00 |
| 代理公司： | 北京庚致知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11807 | 代理人： | 李伟波;韩德凯 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种基于碳纳米管的瞬态场效应晶体管的CMOS电路，包括：衬底，所述衬底由环境可降解材料形成；沟道区，所述沟道区的沟道材料为碳纳米管；栅介质层，所述栅介质层的材料为金属氧化物；栅电极，所述栅电极的材料为铝；以及源电极和漏电极，所述源电极和漏电极由叠层金属形成。本公开还提供了一种基于碳纳米管的瞬态场效应晶体管的CMOS电路的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 纳米 瞬态 场效应 晶体管 cmos 电路 制备 方法 | ||
【主权项】：
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