[发明专利]功率集成二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 202110542357.2 | 申请日： | 2021-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN113140559B | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | 黄昌民;李学会 | 申请（专利权）人： | 无锡昌德微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/07 | 分类号： | H01L27/07;H01L21/82;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京睿博行远知识产权代理有限公司 11297 | 代理人： | 张燕平 |
| 地址： | 214000*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种功率集成二极管及其制造方法，包括高压慢恢复二极管、多晶硅二极管和多晶硅电阻，该发明中：功率集成二极管中的阻尼电阻Rdamp能使震荡进行衰减，改善了EMI性能；并联二极管Dclp_2能提升电路效率，且对Mosfet上的尖峰脉冲进行更好嵌位；各P型区均由P‑区和P+区组成以及外延层采用双层外延，使器件反向恢复时间trr进一步增大；终端区P型场限环与有源区P型区同时制造减小了光刻次数，节省了制造成本；中低压多晶硅二极管的P型区与高压慢恢复二极管的P区同时制造，且该多晶硅二极管的P型注入利用场氧进行注入阻挡，不需要单独的光刻，减少工艺步骤，节省制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 集成 二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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