[发明专利]一种金属电极的制备方法在审
| 申请号： | 202110532761.1 | 申请日： | 2021-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN113267912A | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 王旭阳;李雪征;李俊慧;冯亚丽;郭育梅;贾赫 | 申请（专利权）人： | 北京世维通科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/03 | 分类号： | G02F1/03;C23C16/06;C25D5/02;C25D7/12 |
| 代理公司： | 北京信诺创成知识产权代理有限公司 11728 | 代理人： | 任万玲;杨仁波 |
| 地址： | 100084 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种金属电极的制备方法，包括：在铌酸锂衬底上沉积金属种子层；在所述金属种子层上沉积硅层，所述硅层的厚度大于10μm；在所述硅层上制作掩膜图形，所述掩膜图形所暴露的位置为金属电极的位置；在所述掩膜图形所暴露的位置处进行刻蚀得到硅凹槽，所述硅凹槽处暴露出金属种子层；使用电极金属填充所述硅凹槽，得到金属电极。本申请中的方案通过硅刻蚀的方式得到金属填充的硅凹槽，在硅凹槽内制备金属电极，由于硅层厚度大于10μm，因此通过本申请方法制备得到的金属电极的厚度能够大于10μm，同时金属电极的高宽比可以大于3。采用本申请制备得到的金属电极可极大提高铌酸锂电光调制器的带宽。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属电极 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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