[发明专利]新型复合半导体制热薄膜及薄膜制备方法有效
| 申请号： | 202110531857.6 | 申请日： | 2021-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN113038641B | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 张伟;赵莉 | 申请（专利权）人： | 中熵科技（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H05B3/12 | 分类号： | H05B3/12;H05B3/02;H05B3/06;H05B3/04;H05B3/20;C23C14/35;C23C14/20;C23C14/08 |
| 代理公司： | 西安迪业欣知识产权代理事务所(普通合伙) 61278 | 代理人： | 校丽丽 |
| 地址： | 100190 北京市海淀区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型复合半导体制热薄膜及薄膜制备方法，所述薄膜制备方法包含在基底上溅射阻挡层，在所述阻挡层上溅射发热层；采用包含硅的靶材溅射形成阻挡层，采用包含氧化铟锡的靶材溅射形成发热层，最终形成的新型复合半导体制热薄膜电热转换高效同时辐射直接穿透皮肤及皮下组织的远红外波。使用过程中，基底所含杂质由于升温向外扩散时，基底和发热层之间设置的阻挡层，一方面阻挡基底中的杂质向发热层扩散，另一方面防止水汽渗透进入发热层，减少杂质和水汽对发热层造成损害。本申请通过引入膜层设计，使得基底和发热层的热膨胀系数和晶格常数匹配，提高新型复合半导体制热薄膜在使用过程中各层结构之间可靠连接程度，延长产品寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 复合 半导体 制热 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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