[发明专利]新型复合半导体制热薄膜及薄膜制备方法

权利要求书

1.薄膜制备方法，其特征在于，包含以下步骤：

步骤1:对材质为聚酯薄膜或聚酰亚胺薄膜的柔性基底进行处理，包含：

步骤1.1：在所述柔性基底上辊涂聚氨酯，并烘干；

步骤1.2：在所述步骤1.1后辊涂丙烯酸酯，烘干后进行紫外线照射；

步骤1.3：在所述步骤1.2后对附有丙烯酸酯的柔性基底进行等离子处理；

步骤2：在所述柔性基底上溅射阻挡层；

步骤3：在所述阻挡层上溅射发热层；

其中，

所述步骤2中溅射采用的靶材的材质包含硅，在溅射过程中通入氧气作为反应气体，通入氩气作为保护气体；

所述步骤3中，溅射发热层时，所述柔性基底的温度为5摄氏度至40摄氏度；

通过上述方法得到所述薄膜；

所述步骤3中溅射采用的靶材的材质为锡的掺入量为5～10wt％的氧化铟锡；锑掺入量为10～20wt％的氧化锡锑；镓的掺入量为2～8wt％的掺镓氧化锌；锡的掺入量为15～30wt％的掺锡氧化锌,铝的掺入量为0.9～2.7wt％的掺铝氧化锌中的一种或几种；

所述步骤3中溅射采用的靶材中还掺杂有高发射比氧化物，所述高发射比氧化物包含氧化镍、氧化铬、氧化锰中的一种或几种。

2.根据权利要求1所述的薄膜制备方法，其特征在于，通过调节所述步骤3中溅射采用的靶材的氧化铟锡中的锡、氧化锡锑中的锑、掺镓氧化锌中的镓、掺锡氧化锌中的锡的掺杂量调节所述发热层的电阻率，所述发热层的电阻率的范围为10-3Ω.m～10-6Ω.m。

3.根据权利要求1所述的薄膜制备方法，其特征在于，所述步骤3中溅射采用的靶材中氧化镍中镍的掺入量为0.2～0.5wt％，氧化铬中铬掺入量为0.5～2.5wt％,氧化锰中锰的掺入量为1～5wt％；

通过调节所述步骤3中溅射采用的靶材的氧化镍中的镍、氧化铬中的铬和氧化锰中的锰的掺杂量，调节所述发热层的红外发射率，所述发热层的红外发射率的范围为0.67-0.95。

4.复合半导体制热薄膜，其特征在于，包含柔性基底和发热层，所述柔性基底和发热层之间设有阻挡层；

在所述柔性基底与所述阻挡层之间设聚氨酯层和丙烯酸酯层；

在所述柔性基底上先形成所述聚氨酯层，再形成所述丙烯酸酯层；

所述阻挡层采用材质包含硅的靶材通过溅射工艺形成于所述柔性基底上；

所述发热层通过溅射形成，溅射所述发热层采用的靶材的材质包含氧化铟锡、氧化锡锑、掺镓氧化锌、掺锡氧化锌、掺铝氧化锌中的一种或几种；

溅射所述发热层采用的靶材的材质包含锡的掺入量为5～10wt％的氧化铟锡；锑掺入量为10～20wt％的氧化锡锑；镓的掺入量为2～8wt％的掺镓氧化锌；锡的掺入量为15～30wt％的掺锡氧化锌,铝的掺入量为0.9～2.7wt％的掺铝氧化锌中的一种或几种；

所述柔性基底为聚酯薄膜或聚酰亚胺薄膜；

所述发热层的材质还包含高发射比氧化物，所述高发射比氧化物包含氧化镍、氧化铬、氧化锰中的一种或几种。

5.根据权利要求4所述的复合半导体制热薄膜，其特征在于，溅射所述发热层采用的靶材的氧化镍中镍的掺入量为0.2～0.5wt％，氧化铬中铬掺入量为0.5～2.5wt％,氧化锰中锰的掺入量为1～5wt％。