[发明专利]一种等离子体辅助镀层生长方法在审
| 申请号： | 202110530082.0 | 申请日： | 2021-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN113445026A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 汪嵘;黄永海;王井彩 | 申请（专利权）人： | 安徽中科大禹科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/34 | 分类号： | C23C16/34;C23C16/505;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人： | 靳魁 |
| 地址： | 233000 安徽省蚌埠市中国(安徽)自由贸易试验区*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于等离子体技术领域，具体的说一种等离子体辅助镀层生长方法；利用PE‑ALD技术在低温下能够在对单晶硅衬底上的GAN薄膜起到促进其生长的作用，且利用PE‑ALD技术，能够通过其独有的自限制反应机制实现对GAN薄膜的高均匀性、高保形性以及原子尺度厚度等方面的控制，相对于等离子体增强化学气相沉积，PE‑ALD技术能够将反应物与等离子分别单独的通入腔室，并在其中发生吸附反应，从而实现对薄膜厚度的可控制性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 等离子体 辅助 镀层 生长 方法 | ||
【主权项】：
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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